快閃記憶體

快閃記憶體及儲存設備大廠 Western Digital 和東芝 Toshiba 聯手合作,一起開發 3D NAND (BICS3) 的快閃記憶體晶片。 這個快閃記憶體晶片容量將有 512GB、採用 TLC 技術的 64 層 3D NAND (BICS3) ,而 2016 年 7月 推出的則是 ...

三星Galaxy S8有望搭載8GB RAM? 雖說移動部門受到重創,但是三星快閃記憶體晶元業務還是持續保持著良好的發展。早前,三星宣布已正式開始量產10nm級別的8GB LPDDR4 RAM,未來將能夠「大幅改善移動用戶的使用體驗」,尤其是「高解析度大屏」設備的使用者,新一代的產品將能帶來程...

數位內容著作權管理是目前眾多內容擁有者相當重視的,由 Panasonic 、 Samsung 、 Sony 與 Toshiba 四家廠商共同創立的 NSM ( Next Generation Security Memory )也藉此次 Computex 期間來台推廣其基於快閃記憶體的數位內容保護技術...

(圖片來源:Market Wire) 一直以來 NAND Flash 的發展就是朝三個大方向發展:製程微縮 容量提昇 傳輸變快 其中製程微縮方面 SSDM 2011 大會上已經有人提出解決方案了(這裡),在容量方面, 512Gb 的 NAND Flash 也出來一段時間了(不過貴到爆,約美金120元...

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